CSD25304W1015

Name: Texas Instruments CSD25304W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015
Price: 6.41 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-CSD25304W1015

製造商編號：

CSD25304W1015

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

規格書:

CSD25304W1015 規格書

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$6.41	HK$6.41
	HK$3.96	HK$39.60
	HK$2.60	HK$260.00
	HK$1.98	HK$990.00
	HK$1.77	HK$1,770.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$1.49	HK$4,470.00
	HK$1.32	HK$7,920.00
	HK$1.13	HK$10,170.00
	HK$1.09	HK$26,160.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD25304W1015T

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$13.89

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD25304W1015T

說明：

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 595-CSD25304W1015

與當前零件比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DSBGA-6
晶體管極性:	P-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	20 V
Id - C連續漏極電流:	3 A
Rds On - 漏-源電阻:	92 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.15 V
Qg - 閘極充電:	4.4 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	750 mW
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	10 ns
互導 - 最小值:	12 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4 ns
系列:	CSD25304W1015
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 P-Channel
標準斷開延遲時間:	24 ns
標準開啟延遲時間:	6 ns
每件重量:	1.400 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。