CSD25211W1015

Texas Instruments
595-CSD25211W1015
CSD25211W1015

製造商：

說明：
MOSFET PCh NexFET Power MOS FET

規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
包裝:
完整捲（訂購多個3000）

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$7.15 HK$7.15
HK$4.40 HK$44.00
HK$2.88 HK$288.00
HK$2.41 HK$1,205.00
HK$2.17 HK$2,170.00
完整捲（訂購多個3000）
HK$1.80 HK$5,400.00
HK$1.51 HK$9,060.00
HK$1.35 HK$12,150.00
HK$1.30 HK$31,200.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-6
P-Channel
1 Channel
20 V
3.2 A
44 mOhms
- 6 V, 6 V
800 mV
3.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 14.2 ns
互導 - 最小值: 12 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 8.8 ns
系列: CSD25211W1015
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 36.9 ns
標準開啟延遲時間: 13.6 ns
每件重量: 1.700 mg
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Qg and Qgd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.

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