CSD19536KCS

Texas Instruments
595-CSD19536KCS
CSD19536KCS

製造商:

說明:
MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET

ECAD模型:
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庫存量: 3

庫存:
3
可立即送貨
在途量:
1,600
預期26/2/2026
工廠前置作業時間:
12
工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$43.98 HK$43.98
HK$28.19 HK$281.90
HK$25.73 HK$2,573.00
HK$22.03 HK$11,015.00
HK$21.37 HK$21,370.00
HK$20.30 HK$50,750.00
5,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
100 V
259 A
2.7 mOhms
- 20 V, 20 V
2.1 V
118 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
NexFET
Tube
品牌: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 5 ns
互導 - 最小值: 307 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 8 ns
系列: CSD19536KCS
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 38 ns
標準開啟延遲時間: 14 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷,讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻,需要極低的閘極電荷,並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。