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CSD18540Q5B

Name: Texas Instruments CSD18540Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18540Q5B
Price: 24.58 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

595-CSD18540Q5B

製造商編號：

CSD18540Q5B

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 60V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD18540Q5BT

規格書:

CSD18540Q5B 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 36,804

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$24.58	HK$24.58
	HK$16.11	HK$161.10
	HK$11.26	HK$1,126.00
	HK$9.45	HK$4,725.00
	HK$9.29	HK$9,290.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$7.69	HK$19,225.00
25,000	報價

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD18540Q5BT

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$33.78

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD18540Q5BT

說明：

MOSFET 60V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1854 A 595-CSD18540Q5B

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VSON-CLIP-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	60 V
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	2.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.5 V
Qg - 閘極充電:	41 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	188 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
開發套件:	BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
下降時間:	3 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9 ns
系列:	CSD18540Q5B
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	20 ns
標準開啟延遲時間:	6 ns
每件重量:	120.600 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CSD18540Q5B 規格書

SPICE Models

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。