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CSD18512Q5BT

Name: Texas Instruments CSD18512Q5BT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18512Q5BT
Price: 23.43 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-CSD18512Q5BT

製造商編號：

CSD18512Q5BT

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

規格書:

CSD18512Q5BT 規格書

ECAD模型:

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單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個250）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$23.43	HK$23.43
	HK$15.45	HK$154.50
	HK$9.45	HK$945.00
完整捲（訂購多個250）
	HK$9.45	HK$2,362.50
	HK$8.06	HK$4,030.00
	HK$7.50	HK$7,500.00
	HK$7.25	HK$18,125.00
	HK$7.21	HK$36,050.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD18512Q5B

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$20.14

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD18512Q5B

說明：

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VSON-CLIP-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	1.8 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.3 V
Qg - 閘極充電:	98 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	139 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	7 ns
互導 - 最小值:	136 S
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	16 ns
系列:	CSD18512Q5B
原廠包裝數量:	250
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	31 ns
標準開啟延遲時間:	7 ns
每件重量:	115.700 mg

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所選屬性: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

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Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。