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CSD18511KTTT

Name: Texas Instruments CSD18511KTTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18511KTTT
Price: 24 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-CSD18511KTTT

製造商編號：

CSD18511KTTT

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTT

規格書:

CSD18511KTTT 規格書

ECAD模型:

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HK$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個50）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$24.00	HK$24.00
	HK$11.92	HK$119.20
完整捲（訂購多個50）
	HK$11.92	HK$596.00
	HK$8.96	HK$896.00
	HK$8.47	HK$4,235.00
	HK$7.80	HK$7,800.00
	HK$7.27	HK$18,175.00
	HK$7.24	HK$36,200.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD18511KTT

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$20.30

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD18511KTT

說明：

MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18511KTTT

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	40 V
Id - C連續漏極電流:	194 A
Rds On - 漏-源電阻:	3.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.5 V
Qg - 閘極充電:	64 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	188 W
通道模式:	Enhancement
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	3 ns
互導 - 最小值:	249 S
濕度敏感:	Yes
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	6 ns
系列:	CSD18511KTT
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	17 ns
標準開啟延遲時間:	8 ns
每件重量:	4 g

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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。