CSD18511KCS

Texas Instruments
595-CSD18511KCS
CSD18511KCS

製造商:

說明:
MOSFET 40-V N channel NexF ET power MOSFET si

ECAD模型:
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庫存量: 303

庫存:
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工廠前置作業時間:
12 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$18.25 HK$18.25
HK$8.96 HK$89.60
HK$7.98 HK$798.00
HK$6.37 HK$3,185.00
HK$5.42 HK$5,420.00
HK$5.01 HK$25,050.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
40 V
194 A
3.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.5 V
64 nC
- 55 C
+ 175 C
188 W
Enhancement
Tube
品牌: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 3 ns
互導 - 最小值: 249 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 6 ns
系列: CSD18511KCS
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 17 ns
標準開啟延遲時間: 8 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷,讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻,需要極低的閘極電荷,並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.