似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

CSD17507Q5A

Name: Texas Instruments CSD17507Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17507Q5A
Price: 10.69 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-CSD17507Q5A

製造商編號：

CSD17507Q5A

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A

規格書:

CSD17507Q5A 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Texas Instruments CSD17507Q5A的資訊

庫存量: 3,696

庫存：: 3,696 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 12 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個2500）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$10.69	HK$10.69
	HK$6.67	HK$66.70
	HK$4.41	HK$441.00
	HK$3.47	HK$1,735.00
	HK$3.13	HK$3,130.00
完整捲（訂購多個2500）
	HK$2.80	HK$7,000.00
	HK$2.48	HK$12,400.00
	HK$2.38	HK$23,800.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

相似產品

製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD17579Q5A

說明：

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

與當前零件比較

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	VSONP-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	100 A
Rds On - 漏-源電阻:	16.1 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1.6 V
Qg - 閘極充電:	2.8 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	3 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
互導 - 最小值:	16 S
產品類型:	MOSFETs
系列:	CSD17507Q5A
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
每件重量:	83.700 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

SPICE Models

此功能需要啟用JavaScript。

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

CSD17507Q5A 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

Texas Instruments CSD17507Q5A 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications. The device features ultra-low Q_g and Q_gd, low-thermal resistance, and they are avalanche rated. The Texas Instruments CSD17507Q5A is ideal for Point-of-Load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems and is optimized for control FET applications.

CSD17507Q5A NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments CSD17507Q5A N-channel NexFET™ power MOSFETs are 30V devices deisgned to minimize losses in power conversion applications. TI CSD17507Q5A NexFET power MOSFETs feature low thermal resistance as well as ultralow gate charge totla (Qg) and gate charge gate to drain (Qgd). The TI CSD17507Q5A has a 1.6V threshold voltage. These TI NexFET power MOSFETs are optimized for control FET applications and are also ideal for point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems.