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CSD17382F4T

Name: Texas Instruments CSD17382F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17382F4T
Price: 11.51 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-CSD17382F4T

製造商編號：

CSD17382F4T

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4

規格書:

CSD17382F4T 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 470

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在途量:: 750

預期3/4/2026
工廠前置作業時間：: 6

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輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個250）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$11.51	HK$11.51
	HK$7.25	HK$72.50
	HK$4.18	HK$418.00
完整捲（訂購多個250）
	HK$4.18	HK$1,045.00
	HK$3.51	HK$1,755.00
	HK$3.19	HK$3,190.00
	HK$3.06	HK$7,650.00
	HK$3.02	HK$15,100.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD17382F4

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$3.45

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD17382F4

說明：

MOSFET 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17382F4T

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
系列:	CSD17382F4
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
通道模式:	Enhancement
配置:	Single
組裝國家:	CN
擴散國:	CN
原產國:	CN
下降時間:	270 ns
互導 - 最小值:	5.9 S
Id - C連續漏極電流:	2.3 A
安裝風格:	SMD/SMT
通道數:	1 Channel
封裝/外殼:	PICOSTAR-3
Pd - 功率消耗 :	500 mW
產品類型:	MOSFETs
Qg - 閘極充電:	2.1 nC
Rds On - 漏-源電阻:	67 mOhms
上升時間:	111 ns
原廠包裝數量:	250
子類別:	Transistors
技術:	Si
公司名稱:	PicoStar
晶體管極性:	N-Channel
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	279 ns
標準開啟延遲時間:	59 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	700 mV
每件重量:	0.700 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

CSD17382F4T 規格書

PCN

SPICE Models

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210040
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FemtoFET Power MOSFETs

Texas Instruments FemtoFET Power MOSFETs offer an ultra small footprint (0402 case size) with ultra-low resistance (70% less than competitors). These MOSFETs include ultra low Qg, Qgd specifications and have an optimized ESD rating. They are available in a land grid array (LGA) package. This package maximizes silicon content which makes them ideal for space-constrained applications. These power MOSFETs offer low power dissipation and low switching losses for improved light load performance. Typical applications for these devices include handheld, mobile, load switching, general purpose switching, and battery applications.