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CSD17313Q2

Name: Texas Instruments CSD17313Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17313Q2
Price: 6.17 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

595-CSD17313Q2

製造商編號：

CSD17313Q2

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T

規格書:

CSD17313Q2 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 2,007

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在途量:: 9,000

預期3/3/2026

21,000

預期20/5/2026
工廠前置作業時間：: 12

週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$6.17	HK$6.17
	HK$3.78	HK$37.80
	HK$2.46	HK$246.00
	HK$1.87	HK$935.00
	HK$1.68	HK$1,680.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$1.44	HK$4,320.00
	HK$1.32	HK$7,920.00
	HK$1.26	HK$11,340.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD17313Q2T

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$14.39

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD17313Q2T

說明：

MOSFET 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	WSON-6
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	5 A
Rds On - 漏-源電阻:	30 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	900 mV
Qg - 閘極充電:	2.1 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	17 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
開發套件:	TMDSCSK388, TMDSCSK8127
下降時間:	1.3 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	3.9 ns
系列:	CSD17313Q2
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	4.2 ns
標準開啟延遲時間:	2.8 ns
每件重量:	8.700 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

CSD17303Q5 / CSD17313Q2 NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments CSD17303Q5 and CSD17313Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. The TI CSD17303Q5 and TI CSD17313Q2 NexFET Power MOSFETs feature ultralow Qg and Qgd as well as low thermal resistance.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.