CSD16408Q5

Texas Instruments
595-CSD16408Q5
CSD16408Q5

製造商：

說明：
MOSFET N-Channel NexFET Pwr MOSFET

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$13.65 HK$13.65
HK$13.56 HK$135.60
HK$13.40 HK$1,340.00
HK$12.08 HK$12,080.00
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HK$4.81 HK$12,025.00
HK$4.49 HK$22,450.00
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商品屬性 屬性值 選擇屬性
Texas Instruments
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
5.4 mOhms
- 16 V, 16 V
1.8 V
6.7 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
品牌: Texas Instruments
配置: Single
下降時間: 10.8 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 25 ns
系列: CSD16408Q5
原廠包裝數量: 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 11 ns
標準開啟延遲時間: 11.3 ns
每件重量: 105.800 mg
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFET: CSD16408Q5

The Texas Instruments CSD16408Q5 N-channel NexFET™ power MOSFET minimizes losses in power conversion applications and features ultralow gate charge total and gate charge gate to drain. The TI CSD16408Q5 NexFET MOSFET is avalanche rated and features low thermal resistance. The TI CSD16408Q5 power MOSFET is ideal for Point-of-Load synchronous buck in network, telecom, and computing systems. This NexFET device is also optimized for Control FET applications.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

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