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CSD16301Q2

Name: Texas Instruments CSD16301Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16301Q2
Price: 6.17 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-CSD16301Q2

製造商編號：

CSD16301Q2

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET N-Channel NexFET Pow er MOSFET

規格書:

CSD16301Q2 規格書

ECAD模型:

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庫存量: 16,992

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HK$-.--

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MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$6.17	HK$6.17
	HK$3.78	HK$37.80
	HK$2.46	HK$246.00
	HK$1.87	HK$935.00
	HK$1.68	HK$1,680.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$1.41	HK$4,230.00
	HK$1.32	HK$7,920.00
	HK$1.15	HK$10,350.00
	HK$1.11	HK$26,640.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	WSON-6
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	25 V
Id - C連續漏極電流:	5 A
Rds On - 漏-源電阻:	24 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	900 mV
Qg - 閘極充電:	2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	15 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
下降時間:	1.7 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	4.4 ns
系列:	CSD16301Q2
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel Power MOSFET
標準斷開延遲時間:	4.1 ns
標準開啟延遲時間:	2.7 ns
每件重量:	8.700 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

SPICE Models

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

NexFET™ Power MOSFET: CSD16301Q2

The Texas Instruments CSD16301Q2 N-Channel NexFET™ Power MOSFET minimizes losses in power conversion and load management applications. The TI CSD16301Q2 NexFET MOSFET comes in a SON 2-mm x 2-mm plastic package that offers excellemt thermal performance for its size. The TI CSD16301Q2 provides ultralow Qg and Qgd and is ideal for DC-DC converters and battery and load management applications.