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CSD13306W

Name: Texas Instruments CSD13306W
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13306W
Price: 5.67 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
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Mouser 編號：

595-CSD13306W

製造商編號：

CSD13306W

製造商：

Texas Instruments

說明：

MOSFET 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

規格書:

CSD13306W 規格書

ECAD模型:

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HK$-.--

總價:

HK$-.--

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包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$5.67	HK$5.67
	HK$3.80	HK$38.00
	HK$2.55	HK$255.00
	HK$1.96	HK$980.00
	HK$1.78	HK$1,780.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$1.37	HK$4,110.00
	HK$1.26	HK$7,560.00
	HK$1.09	HK$9,810.00
	HK$1.05	HK$25,200.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

備用包裝

製造商元件編號:

CSD13306WT

包裝:

Reel, Cut Tape, MouseReel

供貨情況:

庫存量

價格:

HK$6.82

最小值:

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製造商：

Texas Instruments

製造商編號：

CSD13306WT

說明：

MOSFET 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

與當前零件比較

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Texas Instruments
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DSBGA-6
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	12 V
Id - C連續漏極電流:	3.5 A
Rds On - 漏-源電阻:	10.2 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, 10 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	700 mV
Qg - 閘極充電:	11.2 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	1.9 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	NexFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Texas Instruments
配置:	Single
產品類型:	MOSFETs
系列:	CSD13306W
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
每件重量:	1.700 mg

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所選屬性: 0

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規格書

CSD13306W 規格書

Images

Mechanical Outline Drawing

PCN

SPICE Models

CSD13306W PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™功率MOSFET

Texas Instruments NexFET™功率MOSFET在相同電阻下可提供一半的閘極電荷，讓設計人員在雙倍頻率下達到90%的供電效率。這些NexFET功率MOSFET將垂直電流與橫向功率MOSFET結合。這些裝置具有低導通電阻，需要極低的閘極電荷，並採用符合產業標準的封裝尺寸。Texas Instruments NexFET功率MOSFET技術可改善高功率運算、網路、伺服器系統和電源供應器的能源效率。