SMF4L8.5A

Name: Taiwan Semiconductor SMF4L8.5A
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-SMF4L8.5A
Price: 3.45 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

821-SMF4L8.5A

製造商編號：

SMF4L8.5A

製造商：

Taiwan Semiconductor

說明：

ESD 保護二極體 / TVS 二極體 400W, 9.92V, Unidirectional, TVS

規格書:

SMF4L8.5A 規格書

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Taiwan Semiconductor SMF4L8.5A的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 8 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個10000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$3.45	HK$3.45
	HK$2.14	HK$21.40
	HK$1.36	HK$136.00
	HK$1.01	HK$505.00
	HK$0.806	HK$806.00
	HK$0.764	HK$1,910.00
	HK$0.707	HK$3,535.00
完整捲（訂購多個10000）
	HK$0.584	HK$5,840.00
	HK$0.559	HK$11,180.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Taiwan Semiconductor
產品類型:	ESD 保護二極體 / TVS 二極體
RoHS:
極性:	Unidirectional
通道數:	1 Channel
操作電壓:	8.5 V
終端類型:	SMD/SMT
鉗位電壓:	14.4 V
擊穿電壓:	9.44 V
封裝/外殼:	SOD-123FL-2
Ipp - 峰值脈衝電流:	25.7 A
Pppm - 峰值脈衝功率消耗:	400 W
Vesd - 電壓靜電放電觸點:	30 kV
Vesd - 電壓靜電放電空氣間隙:	30 kV
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	Taiwan Semiconductor
工作電源電壓:	8.5 V
Pd - 功率消耗 :	1 W
原廠包裝數量:	10000
子類別:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
每件重量:	15 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

SMF4L8.5A 規格書

Models

SMF4L8.5A Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

此功能需要啟用JavaScript。

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

SMF4L Transient Voltage Suppressor Diodes

Taiwan Semiconductor SMF4L Transient Voltage Suppressor (TVS) Diodes offer 400W of peak power dissipation in a small SOD-13W package. These devices feature junction passivation optimized design technology, providing low power losses and high efficiency. SMF4L TVS diodes are ideal for automated placement and designed to protect sensitive circuits from damage by high-voltage transients.