STW58N65DM2AG

Name: STMicroelectronics STW58N65DM2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW58N65DM2AG
Price: 87.38 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STW58N65DM2AG

製造商編號：

STW58N65DM2AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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規格書:

STW58N65DM2AG 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-247-3
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	48 A
Rds On - 漏-源電阻:	65 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	88 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	360 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	7.7 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	31 ns
系列:	STW58N65DM2AG
原廠包裝數量:	600
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	157 ns
標準開啟延遲時間:	28 ns
每件重量:	6 g

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所選屬性: 0

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規格書

STW58N65DM2AG 規格書 (PDF)

PCN

合規守則

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原產地分類

原產國:: 中國
封裝原產國:: 無資料
擴散國:: 無資料

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