STW33N60DM2

STMicroelectronics
511-STW33N60DM2
STW33N60DM2

製造商:

說明:
MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

ECAD模型:
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供貨情況

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工廠前置作業時間:
16 週 工廠預計生產時間。
最少: 600   多個: 600
單價:
HK$-.--
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估計關稅:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$19.40 HK$11,640.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
130 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
43 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 9 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 8 ns
系列: STW33N60DM2
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
標準斷開延遲時間: 62 ns
標準開啟延遲時間: 17 ns
每件重量: 6 g
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所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.