STW18N60DM2

STMicroelectronics
511-STW18N60DM2
STW18N60DM2

製造商:

說明:
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

ECAD模型:
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庫存量: 1,460

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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$30.50 HK$30.50
HK$16.69 HK$166.90
HK$11.43 HK$1,143.00
HK$10.93 HK$6,558.00
HK$10.44 HK$12,528.00
HK$10.03 HK$30,090.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 32.5 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 8 ns
系列: STW18N60DM2
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 9.5 ns
標準開啟延遲時間: 13.5 ns
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.