STU3N65M6

STMicroelectronics
511-STU3N65M6
STU3N65M6

製造商:

說明:
MOSFET N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
ECAD模型:
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庫存量: 2,440

庫存:
2,440 可立即送貨
工廠前置作業時間:
14 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過2440會受到最小訂單要求的限制。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$15.21 HK$15.21
HK$9.70 HK$97.00
HK$6.42 HK$642.00
HK$5.26 HK$2,630.00
HK$4.60 HK$4,600.00
HK$4.18 HK$12,540.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
650 V
3.5 A
1.5 Ohms
- 25 V, 25 V
2.25 V
6 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
產品類型: MOSFETs
系列: Mdmesh M6
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
每件重量: 340 mg
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8542319000
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET結合低閘極電荷(Qg)與優化電容尺寸,為電源轉換應用中的新拓撲結構提供高效率。超級接面MDmesh M6系列提供極高效性能,為高頻率運行帶來更高電源密度及低閘極電荷。M6系列MOSFET具有600至700V的擊穿電壓,並具有豐富的封裝選項,包括TO無鉛(TO-LL)封裝解決方案,可實現高效的熱管理。這些裝置具有適用於工業應用的多種運行電壓,包括充電器、適配器、銀盒模組、LED照明、電訊、伺服器及太陽能。