Name: STMicroelectronics STPSC4H065DI
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC4H065DI
Price: 21.45 HKD
Availability: OutOfStock

說明：

碳化矽肖特基二極管 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$21.45	HK$21.45
	HK$10.44	HK$104.40
	HK$9.29	HK$929.00
	HK$7.62	HK$3,810.00
	HK$7.02	HK$7,020.00
	HK$6.52	HK$13,040.00
	HK$6.21	HK$31,050.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	Through Hole
封裝/外殼:	TO-220AC-2
配置:	Single
If - 順向電流:	4 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.98 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	200 A
Ir - 反向電流:	35 uA
最低工作溫度:	- 40 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STPSC
封裝:	Tube
品牌:	STMicroelectronics
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Diodes & Rectifiers
每件重量:	2.300 g

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所選屬性: 0

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規格書

STPSC4H065DI 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

標準產品

STMicroelectronics標準產品為符合產業標準且可簡易替換的多樣化產品，適合廣泛使用的通用類比IC、獨立元件及序列EEPROM。標準產品依據多項適用於汽車應用的AECQ最高品質標準製造，提供完整的設計輔助工具，包括SPICE、IBIS模型及模擬工具，使設計更加簡單。

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STPSC 650V Schottky Silicon-Carbide Diodes

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