STP4N150

STMicroelectronics
511-STP4N150
STP4N150

製造商：

說明：
MOSFET PowerMESH MOSFET
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規格書:
ECAD模型:
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單價:
HK$-.--
總價:
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估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$48.09 HK$48.09
HK$25.40 HK$254.00
HK$23.18 HK$2,318.00
HK$19.32 HK$9,660.00
HK$18.50 HK$18,500.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1.5 kV
4 A
5 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
50 nC
- 55 C
+ 150 C
160 W
Enhancement
PowerMESH
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 45 ns
互導 - 最小值: 3.5 S
產品類型: MOSFETs
上升時間: 30 ns
系列: STP4N150
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 45 ns
標準開啟延遲時間: 35 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

N-Channel PowerMESH Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel PowerMESH Power MOSFETs are designed with the STMicroelectronics consolidated strip-layout based MESH OVERLAY™ process. This process results in an advanced family of high voltage Power MOSFETs with outstanding performances. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, unrivaled gate charge, and switching characteristics.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors


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