STP11N60DM2

STMicroelectronics
511-STP11N60DM2
STP11N60DM2

製造商:

說明:
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 720

庫存:
720 可立即送貨
工廠前置作業時間:
16 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$19.32 HK$19.32
HK$9.62 HK$96.20
HK$8.47 HK$847.00
HK$7.02 HK$3,510.00
HK$6.24 HK$6,240.00
HK$5.78 HK$11,560.00
HK$5.50 HK$27,500.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
10 A
370 mOhms
- 25 V, 25 V
5 V
16.5 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
MDmesh
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 9.5 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 6.3 ns
系列: STP11N60DM2
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 31 ns
標準開啟延遲時間: 11.7 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.