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STL8DN10LF3

Name: STMicroelectronics STL8DN10LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8DN10LF3
Price: 21.78 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STL8DN10LF3

製造商編號：

STL8DN10LF3

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III

完成您的設計

規格書:

STL8DN10LF3 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$21.78	HK$21.78
	HK$14.06	HK$140.60
	HK$9.86	HK$986.00
	HK$7.95	HK$3,975.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$6.38	HK$19,140.00
	HK$6.36	HK$38,160.00
24,000	報價

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-5x6-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	100 V
Id - C連續漏極電流:	20 A
Rds On - 漏-源電阻:	35 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	1 V
Qg - 閘極充電:	20.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	70 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q100
公司名稱:	STripFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Dual
產品類型:	MOSFETs
系列:	STL8DN10LF3
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	2 N-Channel
每件重量:	76 mg

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規格書

STL8DN10LF3 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET III™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET III™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits a high current and low R_DS(on). These STripFET Power MOSFETs have improved specific on-resistance for lower conduction losses. The planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.