似乎你已停用瀏覽器的JavaScript。除非你登入，否則此頁面上的某些功能將無法使用。

STL66N3LLH5

Name: STMicroelectronics STL66N3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL66N3LLH5
Price: 16.36 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

511-STL66N3LLH5

製造商編號：

STL66N3LLH5

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V

完成您的設計

規格書:

STL66N3LLH5 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於STMicroelectronics STL66N3LLH5的資訊

庫存量: 196

庫存：: 196 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 26 週工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個3000）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$16.36	HK$16.36
	HK$10.44	HK$104.40
	HK$7.05	HK$705.00
	HK$5.60	HK$2,800.00
	HK$5.15	HK$5,150.00
完整捲（訂購多個3000）
	HK$4.53	HK$13,590.00
	HK$4.50	HK$27,000.00

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-5x6-8
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	21 A
Rds On - 漏-源電阻:	5.8 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 22 V, 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	12 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	4.8 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q100
公司名稱:	STripFET
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	4.5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	14.5 ns
系列:	STL66N3LLH5
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	22.7 ns
標準開啟延遲時間:	9.3 ns
每件重量:	76 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STL66N3LLH5 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET V™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET V™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET™ technology with an updated gate structure. The advanced planar technology is ideal for high efficiency, improving Figure of Merit (FoM). These STMicroelectronics MOSFETs exhibit the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications. The advanced planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.