STL33N60DM6

Name: STMicroelectronics STL33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL33N60DM6
Price: 12.33 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STL33N60DM6

製造商編號：

STL33N60DM6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV

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規格書:

STL33N60DM6 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	21 A
Rds On - 漏-源電阻:	140 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3.25 V
Qg - 閘極充電:	35 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	150 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Reel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	SG
下降時間:	35 ns
濕度敏感:	Yes
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9 ns
系列:	STL33N60DM2
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	7 ns
標準開啟延遲時間:	14 ns

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規格書

STL33N60DM6 規格書 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.