STH30N65DM6-7AG

Name: STMicroelectronics STH30N65DM6-7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH30N65DM6-7AG
Price: 25.48 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STH30N65DM6-7AG

製造商編號：

STH30N65DM6-7AG

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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規格書:

STH30N65DM6-7AG 規格書 (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	18 A
Rds On - 漏-源電阻:	115 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4.75 V
Qg - 閘極充電:	46 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	223 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q101
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Reel
品牌:	STMicroelectronics
下降時間:	8 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	3.3 ns
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	46 ns
標準開啟延遲時間:	17 ns
每件重量:	1.540 g

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規格書

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.