STGP7H60DF

STMicroelectronics
511-STGP7H60DF
STGP7H60DF

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
完成您的設計

規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於STMicroelectronics STGP7H60DF的資訊

供貨情況

庫存：
暫無庫存
工廠前置作業時間：
15 週 工廠預計生產時間。
最少： 2000   多個： 1000
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$4.28 HK$8,560.00
HK$3.89 HK$19,450.00
HK$3.81 HK$38,100.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
600 V
1.95 V
- 20 V, 20 V
14 A
88 W
- 55 C
+ 175 C
STGP7H60DF
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 14 A
柵射極漏電電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
每件重量: 6 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。