STGP4M65DF2

STMicroelectronics
511-STGP4M65DF2
STGP4M65DF2

製造商：

說明：
IGBT Trench Gate IGBT M Series 650V 4A
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規格書:
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1,913
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工廠前置作業時間：
15
週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$12.41 HK$12.41
HK$5.86 HK$58.60
HK$5.22 HK$522.00
HK$4.09 HK$2,045.00
HK$3.72 HK$3,720.00
HK$3.35 HK$6,700.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
8 A
68 W
- 55 C
+ 175 C
STGP4M65DF2
Tube
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 8 A
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: CN
柵射極漏電電流: 250 uA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
每件重量: 1.800 g
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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