STGF10M65DF2

STMicroelectronics
511-STGF10M65DF2
STGF10M65DF2

製造商：

說明：
IGBT Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss
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規格書:
ECAD模型:
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供貨情況

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工廠前置作業時間：
15 週 工廠預計生產時間。
最少： 2000   多個： 1000
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$4.07 HK$8,140.00
HK$3.69 HK$18,450.00
HK$3.58 HK$35,800.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-220FP-3
Through Hole
Single
650 V
1.8 V
- 20 V, 20 V
20 A
30 W
- 55 C
+ 175 C
STGF10M65DF2
品牌: STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic : 20 A
柵射極漏電電流: +/- 250 uA
產品類型: IGBT Transistors
原廠包裝數量: 1000
子類別: IGBTs
每件重量: 2 g
找到產品:
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至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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