STGB4M65DF2

Name: STMicroelectronics STGB4M65DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB4M65DF2
Price: 3.41 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STGB4M65DF2

製造商編號：

STGB4M65DF2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

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規格書:

STGB4M65DF2 規格書 (PDF)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
封裝/外殼:	D2PAK-3
安裝風格:	SMD/SMT
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.6 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	8 A
Pd - 功率消耗 :	68 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	STGB4M65DF2
封裝:	Reel
品牌:	STMicroelectronics
集電極最大連續電流Ic :	8 A
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	Not Available
柵射極漏電電流:	+/- 250 uA
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	1000
子類別:	IGBTs

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規格書

STGB4M65DF2 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.