STGB30H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGB30H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGB30H65DFB2
Price: 23.34 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STGB30H65DFB2

製造商編號：

STGB30H65DFB2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package

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規格書:

STGB30H65DFB2 規格書 (PDF)

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數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$23.34	HK$23.34
	HK$15.12	HK$151.20
	HK$10.77	HK$1,077.00
	HK$8.96	HK$4,480.00
完整捲（訂購多個1000）
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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
配置:	Single
集電極-發射極最大電壓VCEO:	650 V
集電極-發射極飽和電壓:	1.65 V
柵極發射機最大電壓:	- 20 V, 20 V
連續集電極電流在25 C:	50 A
Pd - 功率消耗 :	167 W
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
產品類型:	IGBT Transistors
原廠包裝數量:	1000
子類別:	IGBTs
每件重量:	1.380 g

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規格書

STGB30H65DFB2 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

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