STF13NM60ND

STMicroelectronics
511-STF13NM60ND
STF13NM60ND

製造商:

說明:
MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II

ECAD模型:
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庫存量: 733

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最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$42.42 HK$42.42
HK$22.11 HK$221.10
HK$20.22 HK$2,022.00
HK$16.77 HK$8,385.00
HK$15.70 HK$15,700.00
10,000 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
380 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
24.5 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Tube
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 15.4 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 10 ns
系列: STF13NM60ND
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 9.6 ns
標準開啟延遲時間: 46.5 ns
每件重量: 2 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

N-Channel FDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel FDmesh™ Power MOSFETs are a power MOSFET which belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to STMicroelectronic's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. These MOSFETs feature fast recovery, low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and extremely high dv/dt and avalanche capabilities.