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STD96N3LLH6

Name: STMicroelectronics STD96N3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD96N3LLH6
Price: 3.53 HKD
Availability: OutOfStock

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Mouser 編號：

511-STD96N3LLH6

製造商編號：

STD96N3LLH6

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-Ch 30V 0.0037 Ohm 80A STripFET VI

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規格書:

STD96N3LLH6 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	30 V
Id - C連續漏極電流:	80 A
Rds On - 漏-源電阻:	3.7 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	20 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	70 W
通道模式:	Enhancement
資格:	AEC-Q100
公司名稱:	STripFET
封裝:	Reel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
組裝國家:	Not Available
擴散國:	Not Available
原產國:	CN
下降時間:	23.4 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	91 ns
系列:	STD96N3LLH6
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
每件重量:	330 mg

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所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

STD96N3LLH6 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs utilize ST's proprietary trench-based low voltage technology, achieving extremely low conduction losses. These STMicroelectronics power MOSFETs minimize the energy normally lost in electrical drives, leading to greater efficiency and making them suitable for many applications. Housed in industry-standard TO-252 and TO-263 SMD packages with R_DS(on) ranging from 3mΩ to 12.5mΩ, these devices perform well in most low-voltage automotive applications. This product range includes both standard and logic-level thresholds.