STD12N50DM2

Name: STMicroelectronics STD12N50DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD12N50DM2
Price: 19.23 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STD12N50DM2

製造商編號：

STD12N50DM2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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規格書:

STD12N50DM2 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$19.23	HK$19.23
	HK$12.41	HK$124.10
	HK$8.47	HK$847.00
	HK$7.06	HK$3,530.00
	HK$6.69	HK$6,690.00
完整捲（訂購多個2500）
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	500 V
Id - C連續漏極電流:	11 A
Rds On - 漏-源電阻:	350 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	4 V
Qg - 閘極充電:	120 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	110 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	9.8 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	9 ns
系列:	STD12N50DM2
原廠包裝數量:	2500
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	28 ns
標準開啟延遲時間:	12.5 ns
每件重量:	330 mg

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所選屬性: 0

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規格書

STD12N50DM2 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.