STB47N60DM6AG

STMicroelectronics
511-STB47N60DM6AG
STB47N60DM6AG

製造商:

說明:
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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HK$41.84 HK$418.40
HK$31.73 HK$3,173.00
完整捲(訂購多個1000)
HK$29.18 HK$29,180.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
36 A
80 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
品牌: STMicroelectronics
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: SG
下降時間: 9 ns
產品類型: MOSFETs
上升時間: 5.5 ns
系列: STB47N60DM6AG
原廠包裝數量: 1000
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 57 ns
標準開啟延遲時間: 23 ns
每件重量: 1.380 g
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.