STB18N60DM2

Name: STMicroelectronics STB18N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB18N60DM2
Price: 27.45 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-STB18N60DM2

製造商編號：

STB18N60DM2

製造商：

STMicroelectronics

說明：

MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

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規格書:

STB18N60DM2 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$27.45	HK$27.45
	HK$17.92	HK$179.20
	HK$12.58	HK$1,258.00
	HK$10.85	HK$5,425.00
完整捲（訂購多個1000）
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	HK$8.55	HK$17,100.00

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	600 V
Id - C連續漏極電流:	12 A
Rds On - 漏-源電阻:	260 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 25 V, 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	3 V
Qg - 閘極充電:	20 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	90 W
通道模式:	Enhancement
公司名稱:	MDmesh
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	32.5 ns
產品類型:	MOSFETs
上升時間:	8 ns
系列:	STB18N60DM2
原廠包裝數量:	1000
子類別:	Transistors
晶體管類型:	1 N-Channel
標準斷開延遲時間:	9.5 ns
標準開啟延遲時間:	13.5 ns
每件重量:	4 g

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所選屬性: 0

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規格書

STB18N60DM2 規格書 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.