SGT65R65AL

STMicroelectronics
511-SGT65R65AL
SGT65R65AL

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
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規格書:
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數量 單價
總價
零卷 / MouseReel™ †
HK$79.98 HK$79.98
HK$55.32 HK$553.20
HK$45.05 HK$4,505.00
HK$44.72 HK$22,360.00
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HK$38.80 HK$116,400.00
† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

商品屬性 屬性值 選擇屬性
STMicroelectronics
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
25 A
65 mOhms
+ 6 V
1.8 V
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
305 W
品牌: STMicroelectronics
濕度敏感: Yes
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
產品類型: GaN FETs
系列: SGT
原廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
技術: GaN-on-Si
晶體管類型: E-Mode
類型: RF Power MOSFET
每件重量: 76 mg
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所選屬性: 0

規格書

Application Notes

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors

STMicroelectronics SGT65R65AL e-mode PowerGaN Transistors are 650V, 25A transistors combined with well-established packaging technology. The STMicroelectronics SGT65R65AL has a resulting G-HEMT device that provides extremely low conduction losses, high current capability, and ultra-fast switching operation. The device can enable high power density and unbeatable efficiency performances.

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