SGT070R70HTO

Name: STMicroelectronics SGT070R70HTO
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT070R70HTO
Price: 64.12 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-SGT070R70HTO

製造商編號：

SGT070R70HTO

製造商：

STMicroelectronics

說明：

氮化鎵場效應管 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

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規格書:

SGT070R70HTO 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$64.12	HK$64.12
	HK$45.95	HK$459.50
	HK$40.11	HK$4,011.00
	HK$38.96	HK$19,480.00
	HK$38.22	HK$38,220.00
完整捲（訂購多個1800）
	HK$37.24	HK$67,032.00
3,600	報價

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-LL-11
Vds - 漏-源擊穿電壓:	700 V
Id - C連續漏極電流:	26 A
Rds On - 漏-源電阻:	70 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.5 V
Qg - 閘極充電:	8.5 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 150 C
Pd - 功率消耗 :	231 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	9 ns
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品:	FET
產品類型:	GaN FETs
上升時間:	9 ns
系列:	SGT
原廠包裝數量:	1800
子類別:	Transistors
技術:	GaN
類型:	PowerGaN Transistor
標準斷開延遲時間:	7 ns
標準開啟延遲時間:	10 ns
每件重量:	697 mg

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所選屬性: 0

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規格書

SGT070R70HTO 規格書 (PDF)

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USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode transistor designed for demanding power conversion applications. Built on Gallium Nitride (GaN) technology, the STMicro SGT070R70HTO offers superior switching performance with a low on-resistance of 70mΩ and minimal gate charge, enabling high efficiency and reduced losses in high-frequency operations. With a 700V drain-source voltage rating, the transistor is ideal for applications such as power supplies, motor drives, and renewable energy systems. The device features robust thermal performance and is housed in a compact TO-LL package, making it suitable for designs where space and heat management are critical. Fast switching capability and low input capacitance contribute to improved system efficiency and power density, positioning the SGT070R70HTO as a strong choice for next-generation power electronics.