SCTL90N65G2V

Name: STMicroelectronics SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCTL90N65G2V
Price: 239.7 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

511-SCTL90N65G2V

製造商編號：

SCTL90N65G2V

製造商：

STMicroelectronics

說明：

碳化矽MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac

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規格書:

SCTL90N65G2V 規格書 (PDF)

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	HK$239.70	HK$239.70
	HK$183.39	HK$1,833.90
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	STMicroelectronics
產品類型:	碳化矽MOSFET
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	PowerFLAT-5
晶體管極性:	N-Channel
通道數:	1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	650 V
Id - C連續漏極電流:	40 A
Rds On - 漏-源電阻:	18 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - 門源門限電壓 :	5 V
Qg - 閘極充電:	157 nC
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
Pd - 功率消耗 :	935 W
通道模式:	Enhancement
品牌:	STMicroelectronics
配置:	Single
下降時間:	16 ns
濕度敏感:	Yes
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	SiC MOSFETS
上升時間:	38 ns
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Transistors
技術:	SiC
標準斷開延遲時間:	58 ns
標準開啟延遲時間:	26 ns
每件重量:	180 mg

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規格書

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance R_DS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.