RGEX5TS65DGC13

ROHM Semiconductor
755-RGEX5TS65DGC13
RGEX5TS65DGC13

製造商:

說明:
IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT

壽命週期:
NRND:
不建議用於新設計。
ECAD模型:
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庫存量: 600

庫存:
600 可立即送貨
工廠前置作業時間:
22 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過600會受到最小訂單要求的限制。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$78.67 HK$78.67
HK$46.69 HK$466.90
HK$36.00 HK$3,600.00
HK$35.92 HK$21,552.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
ROHM Semiconductor
產品類型: IGBT
RoHS:  
Si
TO-247GE-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
30 V
102 A
306 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
品牌: ROHM Semiconductor
集電極最大連續電流Ic : 75 A
柵射極漏電電流: 200 nA
產品類型: IGBTs
原廠包裝數量: 600
子類別: Transistors
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RGE Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGE Field Stop Trench IGBTs feature low collector-emitter saturation voltage, low switching loss, and a short circuit withstand time of 5μs. The  ROHM Semiconductor RGE IGBTs ensure reliable operation under high-stress conditions. The built-in fast and soft recovery FRD enhances efficiency, while Pb-free lead plating ensures RoHS compliance. Perfect for general inverters, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, power conditioners, and welders, the RGE series provides a robust solution for modern power management needs.