MB85R4M2TFN-G-JAE2

249-85R4M2TFNGJAE2
MB85R4M2TFN-G-JAE2

製造商：

說明：
F-RAM 4Mbit FeRAM (256k x16) parallel interface - TSOP44 tray

壽命週期:
受限供貨情況:
Mouser 目前不提供該部件編號。產品可能僅為有限分銷或是工廠指定訂單。
規格書:
ECAD模型:
下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。
更多資訊
瞭解更多關於RAMXEED MB85R4M2TFN-G-JAE2的資訊

庫存量: 1,049

庫存：
1,049 可立即送貨
數量超過1049會受到最小訂單要求的限制。
最少： 1   多個： 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$301.67 HK$301.67
HK$279.23 HK$2,792.30
HK$270.27 HK$6,756.75
HK$263.62 HK$13,181.00
HK$254.57 HK$25,457.00
HK$246.85 HK$62,206.20
504 報價

商品屬性 屬性值 選擇屬性
RAMXEED
產品類型: F-RAM
RoHS:  
4 Mbit
Parallel
256 k x 16
TSOP-44
75 ns, 95 ns
1.8 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
品牌: RAMXEED
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: JP
濕度敏感: Yes
安裝風格: SMD/SMT
工作電源電壓: 3.3 V
產品類型: FRAM
原廠包裝數量: 126
子類別: Memory & Data Storage
找到產品:
若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

規格書

USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

發生意外的錯誤。


有問題嗎？ 請瀏覽幫助中心。
有關特定訂單的問題，請登入您的帳戶。

如有其他問題，請致電800-346-6873或發送郵件至 help@mouser.com 與我們聯絡。