QPD1028L

Qorvo
772-QPD1028L
QPD1028L

製造商:

說明:
氮化鎵場效應管 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan

ECAD模型:
下載免費的庫載入器,為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

庫存量: 10

庫存:
10 可立即送貨
工廠前置作業時間:
20 週 工廠預計生產時間數量大於所顯示的數量。
數量超過10會受到最小訂單要求的限制。
最少: 1   多個: 1
單價:
HK$-.--
總價:
HK$-.--
估計關稅:
此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$12,243.69 HK$12,243.69

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
NI-780
65 V
19 A
- 40 C
+ 85 C
400 W
品牌: Qorvo
增益: 19.8 dB
濕度敏感: Yes
輸出功率: 750 W
封裝: Waffle
產品類型: GaN FETs
系列: QPD1028L
原廠包裝數量: 18
子類別: Transistors
技術: GaN SiC
晶體管類型: HEMT
找到產品:
若要顯示類似商品,請選取至少一個核選方塊
至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。
所選屬性: 0

此功能需要啟用JavaScript。

USHTS:
8542330001
ECCN:
EAR99

QPD1028 & QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors

Qorvo QPD1028 and QPD1028L 750W GaN on SiC Transistors are discrete Gallium Nitride on Silicon Carbide HEMT (High-Electron-Mobility Transistors) operating from 1.2GHz to 1.4GHz. These devices provide 59dBm of saturated output power with 18dB of large-signal gain and 70% of drain efficiency. The QPD1028 and QPD1028L Transistors are internally pre-matched for optimal performance can support both continuous wave and pulsed operations.