QPD1015

Qorvo
772-QPD1015
QPD1015

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

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HK$2,532.58 HK$2,532.58
HK$1,941.73 HK$48,543.25

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
NI-360
N-Channel
50 V
2.5 A
- 2.8 V
- 40 C
+ 85 C
64 W
品牌: Qorvo
配置: Single
組裝國家: Not Available
擴散國: Not Available
原產國: US
開發套件: QPD1015PCB401
增益: 20 dB
最大工作頻率: 3.7 GHz
最低工作頻率: 0 Hz
濕度敏感: Yes
輸出功率: 70 W
封裝: Tray
產品類型: GaN FETs
系列: QPD1015
原廠包裝數量: 25
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓: 145 V
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CNHTS:
8504409190
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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