QPD1003

Qorvo
772-QPD1003
QPD1003

製造商：

說明：
氮化鎵場效應管 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN

規格書:
ECAD模型:
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HK$-.--
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Pricing (HKD)

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HK$14,285.21 HK$14,285.21

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Qorvo
產品類型: 氮化鎵場效應管
RoHS:  
SMD/SMT
RF-565
N-Channel
50 V
15 A
- 2.8 V
- 40 C
+ 85 C
370 W
品牌: Qorvo
配置: Single
開發套件: QPD1003PCB401
增益: 19.9 dB
最大工作頻率: 1.4 GHz
最低工作頻率: 1.2 GHz
濕度敏感: Yes
輸出功率: 540 W
封裝: Tray
產品類型: GaN FETs
系列: QPD1003
原廠包裝數量: 18
子類別: Transistors
技術: GaN
晶體管類型: HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓: 145 V
零件號別名: 1131389
每件重量: 104.655 g
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所選屬性: 0

規格書

PCN

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

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