PCDD0865G1_L2_00001

Name: Panjit PCDD0865G1_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PCDD0865G1L20001
Price: 13.89 HKD
Availability: OutOfStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

241-PCDD0865G1L20001

製造商編號：

PCDD0865G1_L2_00001

製造商：

Panjit

說明：

碳化矽肖特基二極管 650V SiC Schottky Barrier Diode

規格書:

PCDD0865G1_L2_00001 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於Panjit PCDD0865G1_L2_00001的資訊

供貨情況

庫存：: 暫無庫存

發生意外錯誤了。請稍後再試。
工廠前置作業時間：: 18 週工廠預計生產時間。

輸入數量：

最少： 3000 多個： 3000

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
完整捲（訂購多個3000）
	HK$13.89	HK$41,670.00
	HK$13.15	HK$78,900.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Panjit
產品類型:	碳化矽肖特基二極管
RoHS:
安裝風格:	SMD/SMT
封裝/外殼:	TO-252AA-3
配置:	Single
If - 順向電流:	8 A
Vrrm - 重複反向電壓:	650 V
Vf - 順向電壓:	1.5 V
Ifsm - 順向浪湧電流:	480 A
Ir - 反向電流:	3 uA
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
系列:	SiC Gen.1
封裝:	Reel
品牌:	Panjit
Pd - 功率消耗 :	83.3 W
產品類型:	SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量:	3000
子類別:	Diodes & Rectifiers
每件重量:	321.700 mg

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.