MSCSM120XM50CTYZBNMG

Name: Microchip MSCSM120XM50CTYZBNMG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120XM50CTYZBNMG
Price: 6025.1 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

579-M120XM50CTYZBNMG

製造商編號：

MSCSM120XM50CTYZBNMG

製造商：

Microchip Technology

說明：

離散半導體模組 PM-MOSFET-SIC-SBD-6HPD

規格書:

MSCSM120XM50CTYZBNMG 規格書 (PDF)

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Pricing (HKD)

數量	單價	總價
	HK$6,025.10	HK$6,025.10

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	Microchip
產品類型:	離散半導體模組
RoHS:
產品:	MOSFET-SiC SBD Modules
類型:	3-Phase Bridge
技術:	SiC
Vf - 順向電壓:	1.5 V
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 10 V, + 23 V
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
最低工作溫度:	- 55 C
最高工作溫度:	+ 175 C
品牌:	Microchip Technology
下降時間:	25 ns
Id - C連續漏極電流:	80 A
Pd - 功率消耗 :	315 W
產品類型:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - 漏-源電阻:	50 mOhms
上升時間:	30 ns
原廠包裝數量:	1
子類別:	Discrete Semiconductor Modules
晶體管極性:	N-Channel
標準斷開延遲時間:	50 ns
標準開啟延遲時間:	30 ns
Vds - 漏-源擊穿電壓:	1.2 kV
Vgs th - 門源門限電壓 :	2.7 V