APTGTQ50TA65T3G

Microchip Technology
494-APTGTQ50TA65T3G
APTGTQ50TA65T3G

製造商:

說明:
IGBT 模組 PM-IGBT-TFS-SP3F

ECAD模型:
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供貨情況

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24 週 工廠預計生產時間。
最少: 13   多個: 13
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HK$-.--
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$607.21 HK$7,893.73

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Microchip
產品類型: IGBT 模組
- 40 C
+ 125 C
Tube
品牌: Microchip Technology
集電極-發射極最大電壓VCEO: 650 V
集電極-發射極飽和電壓: 1.65 V
配置: Hex
連續集電極電流在25 C: 50 A
柵射極漏電電流: 120 nA
柵極發射機最大電壓: 20 V
安裝風格: Screw Mount
封裝/外殼: SP3F
Pd - 功率消耗 : 125 W
產品: IGBT Modules
產品類型: IGBT Modules
原廠包裝數量: 1
子類別: IGBTs
技術: Si
每件重量: 110 g
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所選屬性: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

IGBT功率模組

Microchip IGBT功率模組包含完整系列的IGBT功率模組,各有不同的溝槽和電場截止世代,可提供最佳化的切換和傳導耗損效能。可從功率模組的零件編號辨識其採用的IGBT類型。Trench5 IGBT系列補足了Microchip的IGBT功率模組產品系列,是替代NPT IGBT的完美元件選擇。對於要求20 kHz以上切換頻率的應用,可考慮使用Microchip SiC的獨立式產品和模組產品作為替代解決方案。