PXAE263708NB-V1-R2

Name: MACOM PXAE263708NB-V1-R2
Brand: MACOM
SKU: 941-PXAE263708NBV1R2
Price: 944.48 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-PXAE263708NBV1R2

製造商編號：

PXAE263708NB-V1-R2

製造商：

MACOM

說明：

RF MOSFET晶體管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

規格書:

PXAE263708NB-V1-R2 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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Pricing (HKD)

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	RF MOSFET晶體管
RoHS:
晶體管極性:	N-Channel
技術:	Si
Vds - 漏-源擊穿電壓:	65 V
Rds On - 漏-源電阻:	80 mOhms
操作頻率:	2.62 GHz to 2.69 GHz
增益:	13.5 dB
輸出功率:	400 W
最高工作溫度:	+ 225 C
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	HB2SOF-8-1
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
品牌:	MACOM
通道數:	1 Channel
產品類型:	RF MOSFET Transistors
原廠包裝數量:	250
子類別:	MOSFETs
類型:	RF Power MOSFET
Vgs - 閘極-源極電壓:	- 6 V to + 10 V

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規格書

PXAE263708NB-V1-R2 規格書 (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

5G RF JFET和LDMOS FET

MACOM 5G RF結場效應電晶體(JFET)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) FET 是用於新一代無線傳輸的熱增強型大功率電晶體。這些裝置採用GaN SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)技術、輸入匹配、高效率以及具有無耳法蘭的耐熱增強型表面貼裝封裝。MACOM 5G RF JFET和LDMOS FET非常適合多標準蜂窩功率放大器應用。