GTVA262701FA-V2-R0

Name: MACOM GTVA262701FA-V2-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTVA262701FAV2R0
Price: 1653.54 HKD
Availability: InStock

影像僅供參考
請參閱產品規格

Mouser 編號：

941-GTVA262701FAV2R0

製造商編號：

GTVA262701FA-V2-R0

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz

規格書:

GTVA262701FA-V2-R0 規格書 (PDF)

ECAD模型:

下載免費的庫載入器，為ECAD工具轉換此文件。瞭解更多關於 ECAD 型號的資訊。

更多資訊

瞭解更多關於MACOM GTVA262701FA-V2-R0的資訊

庫存量: 53

庫存：: 53 可立即送貨

發生意外錯誤了。請稍後再試。

數量超過53會受到最小訂單要求的限制。

輸入數量：

最少： 1 多個： 1

單價:

HK$-.--

總價:

HK$-.--

估計關稅:

包裝:

完整捲（訂購多個50）

帶狀裁切

MouseReel™ (+HK$55.00)

此產品免費航運

Pricing (HKD)

數量	單價	總價
零卷 / MouseReel™ ^†
	HK$1,653.54	HK$1,653.54
	HK$1,409.24	HK$14,092.40
完整捲（訂購多個50）
	HK$1,409.24	HK$70,462.00
100	報價

† HK$55.00 MouseReel™費用將加入您的購物車內並自動計算。所有MouseReel™訂單均不能取消和不能退換。 ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	H-87265J-2
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	125 V
Id - C連續漏極電流:	12 A
最高工作溫度:	+ 225 C
品牌:	MACOM
增益:	17 dB
最大工作頻率:	2.69 GHz
最低工作頻率:	2.496 GHz
輸出功率:	270 W
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V to 2 V

找到產品:

若要顯示類似商品，請選取至少一個核選方塊

至少選中以上一個核取方塊以顯示在此類別中類似的產品。

所選屬性: 0

篩選文檔:

規格書

GTVA262701FA-V2-R0 規格書 (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

此功能需要啟用JavaScript。

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

5G RF JFET和LDMOS FET

MACOM 5G RF結場效應電晶體(JFET)和橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS) FET 是用於新一代無線傳輸的熱增強型大功率電晶體。這些裝置採用GaN SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)技術、輸入匹配、高效率以及具有無耳法蘭的耐熱增強型表面貼裝封裝。MACOM 5G RF JFET和LDMOS FET非常適合多標準蜂窩功率放大器應用。