GTRA362002FC-V1-R0

Name: MACOM GTRA362002FC-V1-R0
Brand: MACOM
SKU: 941-GTRA362002FCV1R0
Price: 1744.04 HKD
Availability: InStock

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Mouser 編號：

941-GTRA362002FCV1R0

製造商編號：

GTRA362002FC-V1-R0

製造商：

MACOM

說明：

氮化鎵場效應管 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

規格書:

GTRA362002FC-V1-R0 規格書 (PDF)

ECAD模型:

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商品屬性	屬性值	選擇屬性
製造商:	MACOM
產品類型:	氮化鎵場效應管
付運限制：	此產品可能需要額外文件才能出口至美國境外。
RoHS:
安裝風格:	Screw Mount
封裝/外殼:	H-37248C-4
晶體管極性:	N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:	150 V
Id - C連續漏極電流:	4.1 A
最高工作溫度:	+ 225 C
品牌:	MACOM
增益:	13.5 dB
最大工作頻率:	3.6 GHz
最低工作頻率:	3.4 GHz
輸出功率:	200 W
封裝:	Reel
封裝:	Cut Tape
封裝:	MouseReel
產品類型:	GaN FETs
原廠包裝數量:	50
子類別:	Transistors
技術:	GaN
晶體管類型:	GaN HEMT
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓:	- 10 V to 2 V

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規格書

GTRA362002FC-V1-R0 規格書 (PDF)

PCN

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USHTS:: 8541290055
ECCN:: 3A001.b.3.a

5G RF JFET和LDMOS FET

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