LSIC2SD065D08A

Littelfuse
576-LSIC2SD065D08A
LSIC2SD065D08A

製造商：

說明：
碳化矽肖特基二極管 650V/8A SiC SBD?TO263-2LAEC-Q101

規格書:
ECAD模型:
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Pricing (HKD)

數量 單價
總價
HK$19.97 HK$15,976.00

商品屬性 屬性值 選擇屬性
Littelfuse
產品類型: 碳化矽肖特基二極管
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK-2 (TO-263-2)
Single
8 A
650 V
1.8 V
40 A
100 uA
- 55 C
+ 175 C
LSIC2SD
AEC-Q101
品牌: Littelfuse
產品類型: SiC Schottky Diodes
原廠包裝數量: 800
子類別: Diodes & Rectifiers
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所選屬性: 0

規格書

Product Catalogs

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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

LSIC2SD GEN2 SiC蕭特基二極體

Littelfuse LSIC2SD GEN2碳化矽(SiC)蕭特基二極體可為各種應用強化效率、可靠性及熱管理功能。此二極體的作業接點溫度最高達175°C。此二極體的正溫度係數可提供安全的運作及簡易的並聯。Littelfuse LSIC2SD GEN2 SiC蕭特基二極體的其他特色還包括高突波耐受能力和幾乎可忽略的反向恢復電流，切換特性極快且不受溫度影響。相較於矽雙極二極體，GEN2 SiC蕭特基二極體大幅降低了切換損耗。LSIC2SD GEN2 SiC蕭特基二極體非常適合電動車充電站、太陽能變流器、開關模式電源供應器等應用。此系列二極體採用多種封裝，並具有650V（6A至40A）及1200V（5A至40A）的額定電壓/電流。

SiC MOSFET

Littelfuse SiC MOSFET專為高頻、高效應用最佳化。這些耐用的SiC MOSFET採用TO-247-3L封裝，擁有超低導通電阻。Littelfuse提供內部設計、開發及製造的SiC MOSFET，這些裝置具備極低的閘極電荷與輸出電容，所有溫度範圍下均提供領先業界的效能與耐用性，且具備超低的導通電阻。現在提供1200V、120和160毫歐版本。

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